Module

UH110-UFM3 with Housing

Module

UH110-UFM3 with Housing

支援LDPC ECC糾錯與校正機制
快閃記憶體壞區管理
全區平均抹寫技術 (Global Wear Leveling)
快閃記憶體轉換層: Page Mapping
S.M.A.R.T. 功能
Smart Read Refresh™ 技術
SLC-liteX 技術

工業級USB模組：UH110-UFM3 (with Housing)

Apacer宇瞻科技UH110-UFM3 是高效能嵌入式快閃記憶體模組，為取代傳統IDE硬碟而設計。作為嵌入式快閃儲存裝置，UH110-UFM3 相容於USB 2.0規格，並可向下相容USB 1.1規格。UH110-UFM3 採用3D NAND快閃記憶體，最大支援容量高達64GB，具備優於2D NAND的省電效率，可應用在桌上型、可攜式電腦系統和工業電腦系統中常見的標準嵌入式USB接頭。

在可靠度方面，UH110-UFM3 採用先進LDPC (Low Density Parity Check) ECC引擎與SLC-liteX 技術，可有效提升SSD耐用度與資料可靠度，提供高達30,000 次的寫入/抹除次數(P/E cycles)。

此外，UH110-UFM3 採用最新的Page Mapping 快閃記憶體管理技術，並具有各種實作功能，包括省電模式、平均抹寫技術(Wear Leveling)、快閃記憶體壞區管理、斷電管理、S.M.A.R.T.與Smart Read Refresh™技術。

UH110-UFM3 非常適合於嵌入式快閃儲存應用，提供全新且擴充的功能，以及更具成本效益的設計、更好的效能和增強的可靠度。

規格表

Model

UH110-UFM3 with Housing
Interface

USB 2.0
Connector

10-pin USB (2 x 5 header)
Form Factor

USB Disk Module
NAND Flash Type

3D TLC
Capacity

32GB~64GB
External DRAM

No
Sequential Read Performance (MB/sec)

Up to 37
Sequential Write Performance (MB/sec)

Up to 32
ECC Engine

Low-Density Parity-Check (LDPC) Code
IOPS (4K Random Write)

400
Standard Operating Temperature (°C )

0 ~ + 70
Extended Operating Temperature(°C )

-40 ~ + 85
Storage Temperature(°C )

-55 ~ + 100
Housing

Yes
H/W Write Protect

Optional
Screw Hole

No
Shock

Operating: Acceleration, 50(G)/11(ms)/half sine
(compliant with MIL-STD-202G)
Non-operating: Acceleration, 1500(G)/0.5(ms)/half sine
(compliant with MIL-STD-883K)
Vibration

Operation: 7.69 Grms, 20~2000 Hz/random
(compliant with MIL-STD-810G)
Non-operation: 4.02 Grms, 15~2000 Hz/random
(compliant with MIL-STD-810G)
Operating Voltage

5.0 V ± 5%
Power Consumption

Active mode: 95 mA; Idle mode: 75 mA
Dimension (L x W x H )

35.70 x 28.10 x 7.20 mm
MTBF (hours)

>3,000,000