Module

UH110-UFM3

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UH110-UFM3

  • 支援LDPC ECC糾錯與校正機制
  • 快閃記憶體壞區管理
  • 全區平均抹寫技術 (Global Wear Leveling)
  • 快閃記憶體轉換層: Page Mapping
  • S.M.A.R.T. 功能
  • Smart Read Refresh™ 技術
  • SLC-liteX 技術

工業級USB模組:UH110-UFM3

Apacer宇瞻科技UH110-UFM3 是高效能嵌入式快閃記憶體模組,為取代傳統IDE硬碟而設計。作為嵌入式快閃儲存裝置,UH110-UFM3 相容於USB 2.0規格,並可向下相容USB 1.1規格。UH110-UFM3 採用3D NAND快閃記憶體,最大支援容量高達64GB,具備優於2D NAND的省電效率,可應用在桌上型、可攜式電腦系統和工業電腦系統中常見的標準嵌入式USB接頭。
在可靠度方面,UH110-UFM3 採用先進LDPC (Low Density Parity Check) ECC引擎與SLC-liteX 技術,可有效提升SSD耐用度與資料可靠度,提供高達30,000 次的寫入/抹除次數(P/E cycles)。
此外,UH110-UFM3 採用最新的Page Mapping 快閃記憶體管理技術,並具有各種實作功能,包括省電模式、平均抹寫技術(Wear Leveling)、快閃記憶體壞區管理、斷電管理、S.M.A.R.T.與Smart Read Refresh™技術。
UH110-UFM3 非常適合於嵌入式快閃儲存應用,提供全新且擴充的功能,以及更具成本效益的設計、更好的效能和增強的可靠度。

規格表
  • Model
    UH110-UFM3
  • Interface
    USB 2.0
  • Connector
    10-pin USB (2 x 5 header)
  • Form Factor
    USB Disk Module
  • NAND Flash Type
    3D TLC
  • Capacity
    32GB~64GB
  • Sequential Read Performance (MB/sec)
    Up to 37
  • Sequential Write Performance (MB/sec)
    Up to 32
  • ECC Engine
    Low-Density Parity-Check (LDPC) Code
  • IOPS (4K Random Write)
    400
  • Standard Operating Temperature (°C )
    0 ~ + 70
  • Extended Operating Temperature(°C )
    -40 ~ + 85
  • Storage Temperature(°C )
    -55 ~ + 100
  • Housing
    No
  • H/W Write Protect
    Optional
  • Screw Hole
    Yes
  • Shock
    Operation: 50G/11ms
    (compliant with MIL-STD-202G)
    Non-operation: 1500G/0.5ms
    (compliant with MIL-STD-883K)
  • Vibration
    Operation:7.69 Grms, 20~2000 Hz/random
    (compliant with MIL-STD-810G)
    Non-operation:4.02 Grms, 15~2000 Hz/random
    (compliant with MIL-STD-810G)
  • Operating Voltage
    5.0 V ± 5%
  • Power Consumption
    Active mode: 95 mA; Idle mode: 75 mA
  • Dimension (L x W x H )
    32.50 x 24.00 x 5.00 mm
  • MTBF (hours)
    >3,000,000

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