抗硫化 UDIMM

DDR3 Anti-Sulfuration UDIMM

抗硫化 UDIMM

DDR3 Anti-Sulfuration UDIMM

  • On-DIMM溫度感應器: 無
  • 封裝: 240針腳插槽雙列直插式記憶模組 (DIMM)
  • PCB: 高30.0 mm, 針腳間距1.0 mm (pin)
  • 電源: VDD: 1.35V (+0.1V ~ -0.067V) / 1.5V (± 0.075V)
  • 八個內部儲存庫並行運作 (組件)
  • 支援自動預充電選項給每個突發存取
  • 支援自動更新/自行更新
  • 更新週期：0℃≤ TC ≤ +85℃：7.8 ㎲
  • 抗硫化 (Apacer 專利)
  • 敷形塗料 / 底部填充 (選用)

簡介

抗硫化的記憶體模組主要應用於暴露在高污染環境中的設備，如車載、軍事、醫療、運輸、網通與戶外電子產品等領域，以及使用於高濃度硫磺氣體區域，如火山、溫泉、與採礦區電子設備。
由於硫氣體容易與電阻的端電極銀材料化合產生硫化銀、硫化銀不導電，隨著電阻被硫化，電阻的阻值逐漸增加，直至最後變成開路。為解決電阻硫化問題，宇瞻開發全球第一款適用於含硫環境的抗硫化記憶體模組，此創新研發設計亦已取得專利。

 

 

規格表
  • Model
    DDR3 Anti-Sulfuration UDIMM
  • Module Type
    Anti-Sulfuration UDIMM
  • Memory Technology
    DDR3
  • Speed
    1066/1333/1600
  • Density
    2GB/4GB/8GB
  • Voltage
    1.35v/1.5v
  • Pin Count
    240-Pin
  • Width
    64-Bit
  • PCB Height
    1.18"
  • Operating Temperature (°C)
    TC=0℃ to 85℃
  • Value-added Technology
    Anti-Sulfuration / 30μ Gold Finger
  • Recommended Application
    Defense / Factory Automation / Healthcare / Internet of Things / Server & Networking / Transportation

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