M.2

PV250-M280

M.2

PV250-M280

支援LDPC ECC纠错与校正机制
全区平均抹写技术 (Global Wear Leveling)
闪存坏区管理
闪存转换层： Page Mapping
DataDefender™
支持 S.M.A.R.T.功能
支持TRIM指令
Hyper Cache缓存技术
Over-provisioning
SMART Read Refresh™技术
端对端数据保护技术 (End-to-end Data Protection)
NVMe安全抹除

Apacer 宇瞻科技的PV250-M280 为速度最快的M.2 2280 工规SSD之一，其采用高效能PCIe Gen4 x4 接口，符合新一代NVMe 2.0规范，得以独特的电源管理模式运作，进而有效大幅降低耗能。

搭载强大的PCIe控制器，支持on-the-module ECC 纠错技术与高效的平均抹写技术(Wear Leveling)，PV250-M280 具备优异的数据传输效能，每秒读写次数与连续读写速度高达385,000/620,000 IOPS 与3,675/3,215 MB/秒。其极致高速的设计，为追求卓越效能的多元应用系统的理想选择。

PV250-M280 采用3D NAND闪存，最大支持容量高达960GB，具备优于2D NAND的省电效率。此PCIe SSD 不仅采用先进LDPC (Low Density Parity Check) ECC引擎，有效提升SSD耐用度与数据可靠度；更内建温度传感器，通过 S.M.A.R.T. 指令监控SSD设备的温度，并搭配温控调频技术(Thermal Throttling Technology)，于过热情形发生时，仍可维持SSD于安全温度范围内运作，进而确保数据可靠度并提供稳定的效能表现。PV250-M280搭配Sidefill技术，可在高度振动或极端环境下维维正常的运作。此外，针对高度密集存取的数据应用，Apacer 端对端数据保护技术(End-to-End Data Protection)亦保障了数据多点传输间的完整性与可靠度。

于数据防护层面，除了通过进阶加密标准AES保障数据安全，避免重要数据未经授权使用，PV250-M280更采用最新的Page Mapping 闪存管理技术，并具有各种实用功能，包括省电模式、闪存坏区管理、S.M.A.R.T.、DataDefender™、TRIM、Hyper Cache缓存技术与SMART Read Refresh™技术。兼具了高效能、高可靠度与价格合理等优势，PV250-M280 无疑为工控、影像、运算等多元快闪储存应用的最佳选择之一。

规格表

型号

PV250-M280
介面

PCIe Gen4 x4
接口

Double-side: M.2 2280-D5-M key
板型

M.2 2280
NAND 颗粒

3D TLC
容量

240GB~3840GB
外置DRAM

No
读取速度(MB/sec)

Up to 3,675
写入速度(MB/sec)

Up to 3,215
ECC纠错功能

Low-Density Parity-Check (LDPC) Code
IOPS (4K 随机写入)

600K
标准作业温度(°C)

240GB~3840GB: 0 ~ + 70
最高作业温度(°C)

240GB~1920GB -40 ~ +85
放置温度(°C)

-55 ~ +100
外壳

No
温度感测功能

Yes
冲击耐力

Operating: Acceleration, 50(G)/11(ms)/half sine
(compliant with MIL-STD-202G)
Non-operating: Acceleration, 1500(G)/0.5(ms)/half sine
(compliant with MIL-STD-883K)
震动耐力

Operation:7.69 Grms, 20~2000 Hz/random
(compliant with MIL-STD-810G)
Non-operation:4.02 Grms, 15~2000 Hz/random
(compliant with MIL-STD-810G)
电压

3.3V ± 5%
用电量

Active mode: 1595 mA / Idle mode: 230mA
尺寸 (L x W x H )

22.00 x 80.00 x 4.08 mm (max.)
MTBF (小时)

>3,000,000