XR-DIMM

DDR4 XR-DIMM

XR-DIMM

DDR4 XR-DIMM

  • 采用高度坚固的300针连接器和安装孔设计,稳固接合不易脱落
  • 双重抗震认证:RTCA DO-160G / MIL-STD-810G
  • On-DIMM温度传感器:有
  • 封装:300针连接器(300-pin connector),双列直插式内存模块(XR-DIMM)
  • PCB:高37.25 mm,引脚间距0.85 mm (pin)
  • 电源:VDD=1.2V (1.14V ~ 1.26V)
  • 16个internal banks (4个Bank Groups)
  • 平均刷新间隔时间
  • ​​​IC表面温度低于85°C:7.8us
  • 85°C < IC表面温度 ≤ 95°C 之间:3.9us
  • 无铅 (符合RoHS) / 无卤
  • 工作温度范围:工业级 (-40 °C ≤ IC表面温度 ≤ +85°C)
  • 涂层保护/底部填充 (可选)
  • 抗硫化(Anti-Sulfuration)(Apacer专利) (可选)
   

 

 

 

创新强固型内存设计

 

Apacer宇瞻科技强固型内存XR-DIMM透过创新的板对板连接器(board-to-board connector)设计紧密且稳固接合主板,搭配高度坚固的300针连接器(300-pin connector)和固定孔(mounting holes),有效避免内存模块因震动或强烈冲击所导致的位移或脱落问题,大幅强化内存讯号传输的可靠度,为艰困的应用环境提供最强力的后盾。

   

 

 

XR-DIMM_Product_2019_CN.png (566 KB)
   

 

 

 

多重防护技术与加值应用,打造内存界无敌铁金刚

 

除了有效提升产品抗震与抗冲击可靠度,宇瞻XR-DIMM支持多重防护技术与加值应用,为高阶工业应用市场提供最完整的强固型内存解决方案。XR-DIMM密闭式板对板连接器设计,避免了传统内存金手指暴露于外在污染环境可能导致的氧化问题,还可结合底部填充(Underfill)技术增强抗震和抗热冲击性能。同时,宇瞻XR-DIMM也支持原厂工规宽温等级颗粒,并内建温度传感器(thermal sensor)监控记忆体温度,有效防止内存模块过热问题。另一方面,透过敷形涂料(Conformal Coating)与抗硫化(Anti-Sulfuration)技术,更确保产品于潮湿、充满灰尘与腐蚀性气体的应用环境下仍可稳定运行,为工业级内存提供全新选择。

   

 

 

 

XR-DIMM_Product2_2019_CN.png (690 KB)
   
规格表
  • 型号
    DDR4 XR-DIMM
  • 模块类型
    XR-DIMM
  • 内存技术
    DDR4
  • 速度
    2133/2400
  • 密度
    8GB/16GB
  • 电压
    1.2v
  • 针数
    300-Pin
  • 带宽
    72-Bit
  • 印刷电路板高度
    1.466"
  • 工作温度 (°C)
    TC=-40℃ to 85℃
  • 增值技术
    Thermal Sensor
  • 推荐应用
    Defense / Transportation

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