抗硫化

DDR4 抗硫化 SODIMM

  • On-DIMM溫度感測器:無
  • 封裝:260-pin插槽小型雙列直插式記憶體模組 (SO-DIMM)
  • PCB:高30.0mm, 針腳間距0.50 mm (pin)
  • 電源:VDDQ = 1.2V (1.14V to 1.26V)
  • 平均刷新間隔時間:
    • IC表面溫度低於85°C:7.8us
    • 85°C < IC表面溫度 ≤ 95°C 之間:3.9us
  • 無鉛 (符合RoHS)
  • 無鹵
  • PCB:30μ金手指
  • 抗硫化
  • 敷形塗料/底部填充 (可選)

簡介

抗硫化的記憶體模組主要應用於暴露在高污染環境中的設備,如車載、軍事、醫療、運輸、網通與戶外電子產品等領域,以及使用於高濃度硫磺氣體區域,如火山、溫泉、與採礦區電子設備。
由於硫氣體容易與電阻的端電極銀材料化合產生硫化銀、硫化銀不導電,隨著電阻被硫化,電阻的阻值逐漸增加,直至最後變成開路。為解決電阻硫化問題,宇瞻開發全球第一款適用於含硫環境的抗硫化記憶體模組,此創新研發設計亦已取得專利。


 

規格表

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