抗硫化

DDR3 抗硫化 UDIMM

  • On-DIMM溫度感應器: 無
  • 封裝: 240針腳插槽雙列直插式記憶模組 (DIMM)
  • PCB: 高30.0 mm, 針腳間距1.0 mm (pin)
  • 電源: VDD: 1.35V (+0.1V ~ -0.067V) / 1.5V (± 0.075V)
  • 八個內部儲存庫並行運作 (組件)
  • 支援自動預充電選項給每個突發存取
  • 支援自動更新/自行更新
  • 更新週期:0℃≤ TC ≤ +85℃:7.8 ㎲
  • 抗硫化
  • 敷形塗料/底部填充 (可選)
     

簡介

抗硫化的記憶體模組主要應用於暴露在高污染環境中的設備,如車載、軍事、醫療、運輸、網通與戶外電子產品等領域,以及使用於高濃度硫磺氣體區域,如火山、溫泉、與採礦區電子設備。
由於硫氣體容易與電阻的端電極銀材料化合產生硫化銀、硫化銀不導電,隨著電阻被硫化,電阻的阻值逐漸增加,直至最後變成開路。為解決電阻硫化問題,宇瞻開發全球第一款適用於含硫環境的抗硫化記憶體模組,此創新研發設計亦已取得專利。


 

規格表

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